Số mosfet tối đa của SG3525

[vandong1111]

Bên topic
http://www.dientuvietnam.net/forums/...a-nh%E1%BA%A7m
Các bác ấy đều dùng totem cho sg3525 để lái mosfet phần dc-dc
trong tg1000 chỉ dùng 1 sg3525 để kích 4 irf3205

Em muốn hỏi 1 SG3525 có thể lái mấy FET irf3205 ở 35KHz ???

[thanhfdc]

Tăng tốc độ lái cho đảm bảo sườn xung GS với lại cả có thể bảo vệ đc IC khi MOS CS chạm chập.

Mình ghét nhất là hàng santak như TG, Blazer. Nó layout mạch 1 lớp dùng tới 1 núi jumper. Ngay cả chân S, D MOS CS nó cũng ko tha dùng jumper. Có học hỏi thì học hỏi mấy cái mạch cao cấp, chứ học bọn này làm gì cho phí thời gian.

Nó ko tính toán kém mà là ăn bớt, phải tính toán tốt mới ăn bớt đc chứ. Cái kích sóng vuông hàng tàu 500W cùi bắp nó còn có totem 8550-8050 (1.5A peak) để lái MOS kia mà.

[vandong1111]

Còn chỗ này em chưa thông lắm:
- Đây là một nhánh mạch Totem-pole

11, 14 là 2 chân điều khiển mosfet nên hiệu điện thế trên 10V:
- Khi ở mức cao cấp thẳng 10v vào cực B của transistor NPN
- Khi ở mức thấp cấp thẳng vào cực B của transistor PNP
Nhưng vẫn không làm hỏng transistor, chỗ này em chưa hiểu ???

[thanhfdc]

Hỏng sao được. Mắc thử đi. Nếu lắp đúng chân. 2 chân B nối với nhau là IN, 2 chân E nối với nhau là OUT. Chân C con trans ngược nối Vcc, chân C con trans thuận nối GND. Như trong hình ấy. Hỏng mình đền cho chục cặp D882/B772.

Xong rồi vẽ lại cái mạch tương đương thay 2 con tran bằng 4 con diode thì sẽ hiểu tại sao trans ko cháy, mà SG3525 cũng ko bị cháy.

Khi OUT SG3525: ON, có dòng chạy qua BC con PNP bên dưới xuống GND ko?

Khi OUT SG3525: OFF, có dòng chạy qua BC con NPN bên trên lên Vcc ko?

Khi OUT SG3525: ON, con NPN bên trên khuếch đại dòng, dòng này chạy qua Rg nạp cho tụ Cgs. Rg có tác dụng hạn chế dòng tối đa.

Khi OUT SG3525: OFF: chân B con PNP bị kéo xuống mức thấp. Lúc này tụ ký sinh Cgs đóng vai trò là nguồn cho con PNP, và trở tải là Rg. Các điều kiện phân cực của con PNP khiến nó dẫn, xả điện áp của Cgs xuống GND.

Thực tế ko nên nối trực tiếp chân IN totem với IC, mà để bảo vệ IC nên nối qua 1 trở vài trăm R, để khi totem chập thì dòng OUT ở SG3525 ko vượt quá mức tối đa theo datasheet của nó (400mA Peak).




.

[vandong1111]

Hỏng sao được. Mắc thử đi. Nếu lắp đúng chân. 2 chân B nối với nhau là IN, 2 chân E nối với nhau là OUT. Chân C con trans ngược nối Vcc, chân C con trans thuận nối GND. Như trong hình ấy. Hỏng mình đền cho chục cặp D882/B772.

Xong rồi vẽ lại cái mạch tương đương thay 2 con tran bằng 4 con diode thì sẽ hiểu tại sao trans ko cháy, mà SG3525 cũng ko bị cháy.

Khi OUT SG3525: ON, có dòng chạy qua BC con PNP bên dưới xuống GND ko?

Khi OUT SG3525: OFF, có dòng chạy qua BC con NPN bên trên lên Vcc ko?

Khi OUT SG3525: ON, con NPN bên trên khuếch đại dòng, dòng này chạy qua Rg nạp cho tụ Cgs. Rg có tác dụng hạn chế dòng tối đa.

Khi OUT SG3525: OFF: chân B con PNP bị kéo xuống mức thấp. Lúc này tụ ký sinh Cgs đóng vai trò là nguồn cho con PNP, và trở tải là Rg. Các điều kiện phân cực của con PNP khiến nó dẫn, xả điện áp của Cgs xuống GND.

Thực tế ko nên nối trực tiếp chân IN totem với IC, mà để bảo vệ IC nên nối qua 1 trở vài trăm R, để khi totem chập thì dòng OUT ở SG3525 ko vượt quá mức tối đa theo datasheet của nó (400mA Peak).




.

Bác nói rất chi tiết, cảm ơn bác.

Nhưng bác chưa hiểu ý em rồi, em muốn rõ cái này:

1: Điện áp mở cực B là 0.6V, là điện áp chân 11&14 là trên 10V, transistor lại không hư ??

2: SG3525 có thể điều khiển mấy mosfet mà vẫn đảm bảo sườn xung GS ???

[thanhfdc]

Chính xác là phân cực BE là 0.6V thì trans bắt đầu mở. Bạn có thấy tải là Cgs và Rg mắc ở chân E trans ko? Chân E trans ko nối trực tiếp với GND hay Vcc!

Bạn lấy 1 con trans như S8050 chẳng hạn, có dòng IC tối đa 700mA Vbe-sat: 1.2V, Vce-sat: 0.5V max. Áp nguồn 12VDC, Rg: 12V/0.7A=17R-18R.

Nối thẳng B, C lên Vcc, chân E nối Rg xuống thẳng GND. Tức là mắc giống con NPN bên trên của cặp totem, nhưng tải chỉ là Rg thôi. Như vậy là áp cấp chân B tới 12V = chân C 12V luôn chứ ko thèm 10V gì nữa.

Rồi đo đạc lại các thông số Vb, Ve, Vbe, Vce... Quay lại ngâm cứ lại lý thuyết sẽ vỡ vạc ra mấy cái ko hiểu kia ngay thôi. Lý thuyết và thực hành nó phải đi đôi với nhau.

Điều khiển bao nhiêu con thì phải tính theo thông số của MOS với tần số hoạt động cụ thể, yêu cầu độ dốc xung kích cụ thể.

Để tính toán theo yêu cầu cụ thể của bạn thì bạn có thể search AN786 của Microchip để tự tính toán nhé. Khi tính đc Ig cho MOS, lấy Iout 0.4A peak của SG3525 / cho Ig vừa tìm đc bạn sẽ biết đc là nó lái tối đa đc bao nhiêu MOS.

[vandong1111]

Chính xác là phân cực BE là 0.6V thì trans bắt đầu mở. Bạn có thấy tải là Cgs và Rg mắc ở chân E trans ko? Chân E trans ko nối trực tiếp với GND hay Vcc!

Bạn lấy 1 con trans như S8050 chẳng hạn, có dòng IC tối đa 700mA Vbe-sat: 1.2V, Vce-sat: 0.5V max. Áp nguồn 12VDC, Rg: 12V/0.7A=17R-18R.

Nối thẳng B, C lên Vcc, chân E nối Rg xuống thẳng GND. Tức là mắc giống con NPN bên trên của cặp totem, nhưng tải chỉ là Rg thôi. Như vậy là áp cấp chân B tới 12V = chân C 12V luôn chứ ko thèm 10V gì nữa.

Rồi đo đạc lại các thông số Vb, Ve, Vbe, Vce... Quay lại ngâm cứ lại lý thuyết sẽ vỡ vạc ra mấy cái ko hiểu kia ngay thôi. Lý thuyết và thực hành nó phải đi đôi với nhau.

Điều khiển bao nhiêu con thì phải tính theo thông số của MOS với tần số hoạt động cụ thể, yêu cầu độ dốc xung kích cụ thể.

Để tính toán theo yêu cầu cụ thể của bạn thì bạn có thể search AN786 của Microchip để tự tính toán nhé. Khi tính đc Ig cho MOS, lấy Iout 0.4A peak của SG3525 / cho Ig vừa tìm đc bạn sẽ biết đc là nó lái tối đa đc bao nhiêu MOS.

Thank bác, em hiểu rõ rồi.

[dinhthuong80]

Bạn Thanhfdc cho mình hỏi, AN 786 nó tính Ig max sao không thấy tần số f nhỉ? Theo đó thì IRF3205 có Qg=146nC, tr=101ns,
vậy Ig = 146/101 = 1.45A trong khi SG3525 có Io=400mA thì sao nó lái 2 fet 3205 được nhỉ? Mình thắc mắc điểm này.

[thanhfdc]

Để nạp tụ gate thì liên quan gì tới tần số. Nó là dòng điện nạp liên tục cho tụ gate cho tới khi đầy. Thời gian này chỉ tính bằng us, ns.

tr: là khoảng thời gian khi VDS bắt đầu giảm từ 90% xuống 10% khi VGS coi như đầy (90%-100%). Ở 3205 tr(type): 101ns, có nghĩa là dù bạn có nạp gate mạnh cỡ nào thì sườn xung VDS cũng luôn trễ là 101ns.

Khi bạn charge gate ko đủ mạnh thì td(on) + tr sẽ lớn lên, sườn xung on sẽ thoải ra. Vấn đề là nó thoải ra tới bao nhiêu ns mà vẫn chấp nhận được thì nó liên quan tới tần số hoạt động của van. Như với f: 35Khz, Dmax: 14us, thì sườn lên có choãi ra tới 400ns thì xung vẫn còn "vuông" chán. Nhưng ở 200Khz thì 400ns là con số ko chấp nhận đc.

Để 3205 đạt sườn lên t(transistion) ~400ns chỉ cần charge gate với dòng peak ~0.37A.

[dinhthuong80]

Mình hiểu rồi, công thức tính Ig=Qg/tr là dòng kích tối thiểu để fet chuyển từ ngưng dẫn đến dẫn hoàn toàn một cách nhanh nhất có thể-ứng với tốc độ max của nó-tức để thời gian trì hoãn đúng bằng thời gian chuyển của fet. Như vậy thông số Qg mới quan trọng, hầu như nó bao gồm cả Ciss rồi, vậy Ciss hình như không còn ý nghĩa, sao họ không bỏ đi luôn nhỉ.