Cho mình hỏi cách xác định phân cực....!

[tuanlinh2604]

Mình học con BJT nó cho 1 số thông số như là Vcc=10v ,Rc=2k ôm,Rb=100k ôm, Vb=5v.(mạch chỉ có vậy)
Trong sách mình nó ghi là nối BE phân cực thuận nên Vbe=0.7
Mình không biết tại sao nó lại suy ra là phân cực thuận được...Ai biết chỉ mình cách xác định với..!

[tuanlinh2604]

Èo...Ai giúp mình với

[phamtinh.dt]

theo cách mắc thì tran là loại ngược npn.chân Vb=5v vào cực p và chân E=0v vào N thì chả là phân cực thuận còn gì

[Tuanhonglac]

Lại gặp câu hỏi của bạn về transistor BJT. Có lẽ bạn đã không tìm hiểu thấu đáo về linh kiện này nên vẫn chưa hiểu được những điều cơ bản nhất.
Tôi sẽ cố giúp bạn vậy! Để dễ đọc bài viết được tách ra thành từng phần.
Các chất bán dẫn:
Chất bán dẫn thường đươc làm từ siliccium (Si) hoặc gecmanium (Ge) bằng cách pha tạp nó với một chất khác.
Nếu pha với chất có hóa trị 5 ta có chất bán dẫn N. Do chất có hóa tri 5 (như Phốt pho chẳng hạn) có cấu tạo 5 electron ở lớp ngoài cùng. Trong 5 electron thì 4 electron sẽ liên kết với 4 nguyên tử Si khác nhau. Một electron dư ra trở thành electron tự do.
Nếu pha với chất có hóa trị 3 ta có chất bán dẫn P. các chất hóa trị 3 có 3 electron ở lớp ngoài cùng nên khi liên kết với 4 nguyên tử Si sẽ có một liện kết thiếu 1 electron. Chỗ thiếu electron này gị là lỗ trống. Lỗ trống này dễ dàng để nhận electron tự do.
Diode bán dẫn:
Khi một chất Si hay Ge được pha để thành 1 lớp bán dẫn loại P và một lớp bán dẫn loại N thì sẽ tạo nên một mối nối P-N. Đó là diode bán dẫn.(Không nói sâu về diode, bạn tự tìm hiểu).

[Tuanhonglac]

Transistor BJT:
1. Cấu tạo:
Trước hết, bạn phải biết rằng Transistor BJT như tên gọi của nó có nghĩa là transistor lưỡng nối. Như vậy, nó phải được ghép bởi 3 lớp bán dẫn để tạo ra 2 mối nối P-N.
Người ta sẽ sắp xếp các thứ tự các chất P,N để tạo ra 2 loại là: NPN và PNP.
3 lớp bán dẫn này được đưa ra 3 cực (chân) là:
- Cực B (Base) hay còn gọi là cực nền,
- Cực C (Collector) hay còn gọi là cực thu,
- Cực E (Emiter) hay còn gọi là cực phát.
Trong đó cực C và E là cùng chất bán dẫn (loại N hoặc P) nhưng do kích thước và nồng độ pha các chất tạp khác nhau nên không thể hoán đổi cho nhau được.
2. Vận chuyển:
Đối với NPN:
Nếu cho cực E của BJT loại NPN nối vào âm nguồn DC và cực C nối vào cực dương nguồn DC và để hở cực B thì các electron trong lớp bán dẫn N (của cực E và cực C) do tác động của lực tĩnh điện nên sẽ di chuyễn theo hướng từ E sang C. Nhưng do cực B để hở nên electron của lớp bán dẫn N (cực E) không thể qua lớp bán dẫn P (cực B) được. Nên hiện tượng tái hợp giữa electron và lỗ trống không xảy ra. Không có dòng điện qua BJT.
Nếu ta nối cực B vào nguồn dương sao cho Vb>Ve và Vb<Vc ta thấy:
- Hai lớp bán dẫn P (cực B) và N (cực E) là một diode (tạm gọi là diode BE, diode này được phân cực thuận do P có điện áp cao hơn N). Trong khi cực B và C tạo thành một diode khác (tạm gọi là diode BC, diode này phân cực nghịch do P có áp thấp hơn N).
- Diode BE được phân cực thuận nên dẫn, vì vậy electron từ lớp bán dẫn N (cực E) sẽ qua lớp bán dẫn P (cực B) để tái hợp với lỗ trống.
- Do lớp bán dẫn P (cực B) nhận thêm electron nên có điện tích âm.
- Cực B do đượ nối vào dương nguồn nên một số electron trong lớp bán dẫn P sẽ bị hút tạo thành dòng Ib.
- Cực C do có điện áp dương cao hơn nên hút hầu hết các electron trong lớp bán dẫn P sang lớp bán dẫn N của cực C tạo thành dòng Ic.
-Cực E do nối vào âm nguồn nên khi vùng bán dẫn N của nó bị mất electron, nó sẽ hút electron từ nguồn âm vào thế chỗ tạo thành dòng Ie.
(Xem hình 2: Mũi tên đỏ chỉ chiều dòng electron di chuyển, do dòng điện qui ước chạy ngược chiều dòng electron nên các dòng Ib và IC chảy từ ngoài vào BJT, dòng Ie chảy từ trong BJT ra. Vì vậy ký hiệu mũi tên ở cực E đi ra).
Do lượng electron bị hút từ cực E đều qua B và C nên các dòng Ib và Ic cũng đều qua E.
vì vậy nên Ie = Ib + Ic.

[Tuanhonglac]

Vận chuyển đối với PNP:
- Điện áp nối vào các chân ngược lại với NPN. Nếu như với NPN thì electron di chuyển thì đối với PNP ta có thể tạm xem như lỗ trống sẽ di chuyển và cũng từ E.
Nếu cho cực E của BJT loại PNP nối vào dương nguồn DC và cực C nối vào cực âm nguồn DC và để hở cực B thì các lỗ trống trong lớp bán dẫn P (của cực E và cực C) do tác động của lực tĩnh điện nên sẽ di chuyển theo hướng từ E sang C. Nhưng do cực B để hở nên lỗ trống của lớp bán dẫn P (cực E) không thể qua lớp bán dẫn N (cực B) được. Hiện tượng tái hợp giữa lỗ trống và electron không xảy ra. Không có dòng điện qua BJT.
Nếu ta nối cực B vào nguồn dương sao cho Vb<Ve và Vb>Vc ta thấy:
- Hai lớp bán dẫn N (cực B) và P (cực E) là một diode (tạm gọi là diode BE, diode này được phân cực thuận do P có điện áp cao hơn N). Trong khi cực B và C tạo thành một diode khác (tạm gọi là diode BC, diode này phân cực nghịch do P có áp thấp hơn N).
- Diode BE được phân cực thuận nên dẫn, vì vậy lỗ trống từ lớp bán dẫn P (cực E) sẽ qua lớp bán dẫn N (cực B) để tái hợp với electron.
- Do lớp bán dẫn N (cực B) nhận thêm lỗ trống nên có điện tích dương.
- Cực B do được nối vào âm nguồn nên một số lỗ trống trong lớp bán dẫn N sẽ bị hút tạo thành dòng Ib.
- Cực C do có điện áp âm nhiều hơn nên hút hầu hết các lỗ trống trong lớp bán dẫn N sang lớp bán dẫn P của cực C tạo thành dòng Ic.
-Cực E do nối vào dương nguồn nên khi vùng bán dẫn P của nó bị mất lỗ trống, nó sẽ hút lỗ trống từ nguồn dương vào thế chỗ tao thành dòng Ie.
(Xem hình 3: Mũi tên đỏ chỉ chiều lỗ trống di chuyển, do dòng lỗ trống chạy ngược chiều dòng electron nên các dòng lỗ trống cùng chiều với dòng qui ước vậy dòng Ib và IC chảy từ trong BJT ra, dòng Ie chảy từ ngoài vào BJT. Vì vậy trên ký hiệu ta thấy mũi tên ở cực E đi vào).
Do lượng lỗ trống bị hút từ cực E đều qua B và C nên các dòng Ib và Ic đều từ cực E chảy qua.
vì vậy nên Ie = Ib + Ic.