Vị trí tụ chống sét/Điện trở thay đổi theo điện áp VDR

[dinhthuong80]

Chào các bạn.
Theo các bạn, tụ chống nhiễu cao áp/chống sét nên đặt ở vị trí mạch 1 hay mạch 2 ( tức sau hay trước điện cảm L) để phát huy tốt nhất khả năng chống xung áp cao và sét đi vào làm hỏng IC và mạch?

Ý mình thì mạch 2, còn họ nói mạch 1:

"If put the VDR in front of DR magnetic core: The actual clamp voltage of VDR normally is over 500V, and 500V＞230*1.414(The max working voltage of circuit), so the loop voltage will be rapid rise after the VDR, it will bring the current rise, this creates a reverse voltage, this reverse voltage will make the voltage of L1 rapid rise, then the IC will receive this surge voltage, may this voltage will over than the clamp voltage of VDR.

If design as below picture show: The VDR is at the behind of DR magnetic core, The voltage on C1 can be clamped, If C4 is 100nF, for example, 1000pcs tube work in one building, There have 100uF capacitor can absorb the surge voltage from network, it can reduce the surge voltage from network."

Google dịch: Nếu đặt VDR trước lõi từ DR: Điện áp kẹp thực tế của VDR thường là trên 500V và 500V＞ 230*1.414 (Điện áp làm việc tối đa của mạch), do đó điện áp vòng lặp sẽ tăng nhanh sau VDR, nó sẽ làm tăng dòng điện, điều này tạo ra một điện áp ngược, điện áp ngược này sẽ làm cho điện áp của L1 tăng nhanh, sau đó IC sẽ nhận điện áp tăng này, có thể điện áp này sẽ vượt quá điện áp kẹp của VDR.

Nếu thiết kế như hình bên dưới: VDR ở phía sau lõi từ DR, Có thể kẹp điện áp trên C1, Nếu C4 là 100nF, ví dụ, 1000 ống hoạt động trong một tòa nhà, Có tụ điện 100uF có thể hấp thụ điện áp đột biến từ mạng, nó có thể giảm điện áp đột biến từ mạng.

[T.L.M]

Ý người ta là vdr gắn trước thì không dập được xung do cuộn cảm gây ra.

(tube chắc là đèn huỳnh quang dùng tăng phô điện tử)

[dinhthuong80]

Ý người ta là vdr gắn trước thì không dập được xung do cuộn cảm gây ra.

(tube chắc là đèn huỳnh quang dùng tăng phô điện tử)

Mạch lọc cho nguồn xung tương thích CE, EMC bạn
Mình biết, và nói là do L không đáng kể, mục đích VDR chống xung cao áp và sét thì nên đứng trước L

[trthnguyen]

Mạch lọc cho nguồn xung tương thích CE, EMC bạn
Mình biết, và nói là do L không đáng kể, mục đích VDR chống xung cao áp và sét thì nên đứng trước L

L làm điện áp sau nó tăng lên từ từ nên đứng sau L sẽ tốt hơn chứ nhỉ?

[dinhthuong80]

L làm điện áp sau nó tăng lên từ từ nên đứng sau L sẽ tốt hơn chứ nhỉ?

Thì nó nói là nếu VDR-tụ chống sét đứng trước L thì áp sau L tăng lên dần, gây ảnh hưởng cho mạch sau mà. Nhưng nếu VDR đứng sau L thì dòng điện tăng từ từ này sẽ đi qua VDR cũng... đủng đỉnh từ từ chứ không làm cái ào để có thể đứt fuse bảo vệ mạch sau đó tốt được, mà đấy mới là chức năng của VDR.

Sở dĩ phải có cái cầu chì là vì đường mạch và linh kiện sau nó ( ở đây chínhy là L) khó khăn trong việc cháy đứt khi dòng tăng cao để tránh cháy nổ. Nếu VDR đứng sau L, thành ra L sẽ cản trở dòng đột biến qua VDR, cũng là cản dòng tăng vọt qua cầu chì, cầu chì khó đứt hơn, VDR cũng khó dẫn dòng cao hơn.

PS: họ vẫn giữ quan điểm VDR sau L, còn các bạn, các cao thủ nguồn xung theo trường phái nào ạ?!!

"Many thanks for your info, and we still keep our opinion on this. But we will make two kinds sample, one is our opinion, one is your opinion, Then we will test the surge voltage test, which one is better, we will take which one, "

Theo mình thì thế này, không biết đúng không: Tụ chỉ hấp thụ tốt "gai áp cao" chứ "xung áp cao" có vẻ hiệu quả thấp, nhất là khi có sấm sét, vì nó luôn lưu trữ một giá trị điện áp từ mạng. Do đó, dòng điện mà nó có thể hấp thụ trong trường hợp có sự cố là khá nhỏ.
Với VDR, khi xung cao áp vượt ngưỡng cho phép, nó sẽ dẫn dòng điện rất lớn vì khi đó điện trở của nó rất nhỏ, coi như ngắn mạch. Chính vì thế người ta dùng nó để chống gai và xung cao áp.
Khi bạn đặt VDR ở sau L, nó vô tình bị tăng điện trở, giảm khả năng hấp thụ.
Mặt khác, L là có tính chống lại sự biến thiên điện áp ( làm áp sau nó tăng giảm từ từ hơn), nếu VDR ở phía trước, VDR sẽ nhanh chóng hấp thụ xung điện áp cao, phần còn lại sẽ bị L cản trở, xung điện áp cao sẽ đi vào IC hơi khó và nhỏ hơn.

Tôi cho rằng năng lượng mà L sinh ra như bạn nói cũng khá nhỏ không đủ ảnh hưởng đến mạch điện phía sau nó. (L chỉ 1-2mH, lõi từ phi 6x8)

[dinhthuong80]

Bây giờ mình cần có mạch tạo xung cao áp từ 500-1000V thôi, để xả vào lưới test 2 kiểu vị trí VDR trên mà loay hoay mãi không biết làm sao.

Nguồn DC 500-1000V thì dễ rồi, vấn đề là lấy linh kiện gì, làm sao để có thể đóng nó vào lưới điện chỉ vài ns ngay gần đỉnh sin? Rơle thì không đáp ứng thời gian, Triac thì khó đáp ứng cao áp, mosfet thì chỉ dùng trong DC mà đem đóng nó vào mạng là hơi căng!!!

[T.L.M]

Cao áp thì mình nghĩ nên dùng igbt. Nối tiếp thêm con diod là chặn được dòng ac ngược mà.

Hoặc dùng mạch đánh lửa, phóng vào dây dây nguồn

[bqviet]

Ở các tài liệu thiết kế đều thấy VDR đặt ở vị trí #2, bqv chưa từng thấy kiểu nối #1 bao giờ. Có thể do đọc chua đủ nhiều chăng ?

Tự luận thì nó thế này : VDR để chống gai điện áp bất kỳ - có thể giông sét, có thể tĩnh điện có thể ... những bất định giời biết đến từ lưới. Vậy suy ra cần đặt nó càng gần đầu vào mạch từ lưới càng tốt. Đặt kiểu #1 không có ý nghĩa gì, rất có thể khi có xung cao áp từ ngoài vào không những cháy cầu chì mà còn cháy luôn cuộn cảm.

Vấn đề điện áp cao gây bởi cuộn cảm nhẹ nhàng hơn nhiều so với gai áp từ lưới, khắc phục bằng điện trở mắc song song hoặc spark-gap không cần tới VDR.

[bqviet]

Bây giờ mình cần có mạch tạo xung cao áp từ 500-1000V thôi, để xả vào lưới test 2 kiểu vị trí VDR trên mà loay hoay mãi không biết làm sao.

Nguồn DC 500-1000V thì dễ rồi, vấn đề là lấy linh kiện gì, làm sao để có thể đóng nó vào lưới điện chỉ vài ns ngay gần đỉnh sin? Rơle thì không đáp ứng thời gian, Triac thì khó đáp ứng cao áp, mosfet thì chỉ dùng trong DC mà đem đóng nó vào mạng là hơi căng!!!

Cách thông dụng là "bơm" điện áp vào thông qua biến áp thôi. Kiểu như mạch lái thyristor/triac bằng biến áp, hoặc mạch truyền tin đường dây điện.

Có cái tài liệu đề cập, cụ thể mục 4.2
http://vlabs.iitkgp.ac.in/vhvlab/htm...-006-BIR-F.pdf

[dinhthuong80]

Cách thông dụng là "bơm" điện áp vào thông qua biến áp thôi. Kiểu như mạch lái thyristor/triac bằng biến áp, hoặc mạch truyền tin đường dây điện.

Có cái tài liệu đề cập, cụ thể mục 4.2
http://vlabs.iitkgp.ac.in/vhvlab/htm...-006-BIR-F.pdf

Cảm ơn bác, để em nghiên cứu làm thử

[LamVo]

Bây giờ mình cần có mạch tạo xung cao áp từ 500-1000V thôi, để xả vào lưới test 2 kiểu vị trí VDR trên mà loay hoay mãi không biết làm sao.

Nguồn DC 500-1000V thì dễ rồi, vấn đề là lấy linh kiện gì, làm sao để có thể đóng nó vào lưới điện chỉ vài ns ngay gần đỉnh sin? Rơle thì không đáp ứng thời gian, Triac thì khó đáp ứng cao áp, mosfet thì chỉ dùng trong DC mà đem đóng nó vào mạng là hơi căng!!!

Sao phải đóng vào mạng, mạng điện có công suất rất lớn để đóng vào mạng tạo ra xung điện áp thì cần năng lượng chắt cỡ như tia sét may ra mới tạo ra xung được. Thay vào đó nên thử điện áp xung độc lập tích nguồn áp 1 chiều vào 1 con tụ cao áp xong ngắt ra quẹt trược tiếp qua hệ, mắc thêm vài con trở chia áp xuống tầm 100 lần đo qua osilo xem phản ứng như nào.

[dinhthuong80]

Sao phải đóng vào mạng, mạng điện có công suất rất lớn để đóng vào mạng tạo ra xung điện áp thì cần năng lượng chắt cỡ như tia sét may ra mới tạo ra xung được. Thay vào đó nên thử điện áp xung độc lập tích nguồn áp 1 chiều vào 1 con tụ cao áp xong ngắt ra quẹt trược tiếp qua hệ, mắc thêm vài con trở chia áp xuống tầm 100 lần đo qua osilo xem phản ứng như nào.

Cách cơ học của bạn tương tự cách mình đóng mở 1 con tụ 0.22 - 46uF liên tục vào ACin của đèn để test EMC thôi, không đáp ứng yêu cầu cực nhanh, xung cực ngắn.
Mạng công suất cực lớn nhưng f nhỏ, L lại khá lớn với f xung cao áp nên làm theo cách trong link của bác bqviet là ok.

[LamVo]

Cách cơ học của bạn tương tự cách mình đóng mở 1 con tụ 0.22 - 46uF liên tục vào ACin của đèn để test EMC thôi, không đáp ứng yêu cầu cực nhanh, xung cực ngắn.
Mạng công suất cực lớn nhưng f nhỏ, L lại khá lớn với f xung cao áp nên làm theo cách trong link của bác bqviet là ok.

Muốn xung ngắn bao nhiêu cứ tăng điện áp và giảm dung lượng của tụ thấp lại thì được thôi, điện áp càng cao dung lượng càng thấp thì xung càng ngắn như tia sét củng vậy bản chất củng là phóng điện từ 1 con tụ khổng lồ. Còn mạch theo link của bác bqviet nó là một ứng dụng khác xét kỹ mạch đó người ta củng thí nghiệm một cách độc lập với lưới chứ không phải bơm 1 điện áp xung vào lưới, và mạch này là mạch tạo điện áp tần số cao kết hợp với tần số 50Hz dùng cho việc thí nghiệm cách điện chứ không phải thí nghiệm điện áp xung.
Nếu nói về mạch tạo xung điện áp thì nó phải là mạch này https://core.ac.uk/download/pdf/12005621.pdf nguyên lý giống như tôi nói, phương pháp củng rất giản youtube củng có ông tây hướng dẫn làm mạch này r.

[dinhthuong80]

Muốn xung ngắn bao nhiêu cứ tăng điện áp và giảm dung lượng của tụ thấp lại thì được thôi, điện áp càng cao dung lượng càng thấp thì xung càng ngắn như tia sét củng vậy bản chất củng là phóng điện từ 1 con tụ khổng lồ. Còn mạch theo link của bác bqviet nó là một ứng dụng khác xét kỹ mạch đó người ta củng thí nghiệm một cách độc lập với lưới chứ không phải bơm 1 điện áp xung vào lưới, và mạch này là mạch tạo điện áp tần số cao kết hợp với tần số 50Hz dùng cho việc thí nghiệm cách điện chứ không phải thí nghiệm điện áp xung.
Nếu nói về mạch tạo xung điện áp thì nó phải là mạch này https://core.ac.uk/download/pdf/12005621.pdf nguyên lý giống như tôi nói, phương pháp củng rất giản youtube củng có ông tây hướng dẫn làm mạch này r.

Cảm ơn bạn nhiều, nhưng làm thủ công thế thì chắc chỉ tạo ra được gai cao áp thôi chứ không phải xung cao áp. Để mình xem link của bạn

[dinhthuong80]

nguồn cao áp DC thì đơn giản, như chỉnh lưu nhân đôi, nhân ba từ lưới, mạch vợt muỗi,... Vấn đề của mình là đóng nó vào mạng đúng thời điểm trong khoảng thời gian nhất định điều chỉnh được ( T~ 10ns-2us)