MOSFET và IGBT giống nhau ở chỗ điện trở vào rất lớn, điện áp kích vào G giống nhau. Nhưng giữa 2 loại linh kiện này có vài điểm khác nhau như sau:
1-/ MOSFET: Rds (ON); IGBT: Vce (SAT).
2-/ MOSFET: có thể hoạt động ở chế độ tuyến tính; IGBT: không thể hoạt động ở chế độ tuyến tính.
3/- MOSFET: Đạt hiệu suất cao khi hoạt động ở điện áp thấp hoặc cao; IGBT chỉ đạt hiệu suất cao ở điện áp cao. Vì vậy không thấy IGBT trong những mạch chạy điện áp thấp và không thấy MOSFET trong mạch có điện áp hoạt động trên 600V.
4-/ Tần số hoạt động của IGBT không cao; MOSFET chỉ tùy thuộc vào tín hiệu đưa vào G có đủ yêu cầu hay không.
1-/ MOSFET: Rds (ON); IGBT: Vce (SAT).
2-/ MOSFET: có thể hoạt động ở chế độ tuyến tính; IGBT: không thể hoạt động ở chế độ tuyến tính.
3/- MOSFET: Đạt hiệu suất cao khi hoạt động ở điện áp thấp hoặc cao; IGBT chỉ đạt hiệu suất cao ở điện áp cao. Vì vậy không thấy IGBT trong những mạch chạy điện áp thấp và không thấy MOSFET trong mạch có điện áp hoạt động trên 600V.
4-/ Tần số hoạt động của IGBT không cao; MOSFET chỉ tùy thuộc vào tín hiệu đưa vào G có đủ yêu cầu hay không.
Comment