Tweet
Em muốn sử dụng MOSFET IRF540 kênh N để điều khiển kênh cao...nhưng mà lại ko có IC chuyên dụng.
Trong khi việc thiết kế từ những linh kiện rời rạc rất khó khăn.
Tần số PWm ( fs ) mong muốn từ 20khz-50khz.
ACE nào có mạch thì cho em tham khảo với?
thanks all,
Tiện đây cho em hỏi:
Giả sử mạch kích FET kênh thấp như hình:
theo công thức tính:
Với:
- Ciss =890pF ( Theo datashet )
- Ls = 7.5 nH ( điện cảm mạch vòng )
- Ls ( tổng ) = Ls + Ls ( đượng mạch ) : Ls ( mạch ) = 10nH/cm
- Rdrv + Rg;i ==> Hai giá trị này em ko biết bằng bao nhiêu ? ( trong đó Rg;i là điện trở nội của cồng G, còn Rdrv là điện trở ngõ vào phải ko ? )
Như vậy: ( giả sử đường mạch có Ls ( đường mạch ) =20nH
R_gate_OPT = 11.11ohm - ( Rdrv + Rg;i )
Giả sử: ( Rdrv + Rg;i ) = ( 3ohm + 1ohm ) thì:
R_gate ( thêm vào ) = 11.11ohm-4ohm = 7.11ohm
Như vậy điện trở thêm vào R-gate của em là 7.11ohm phải ko?
Nhưng trong một mạch vòng RLC thì điều kiện để áp trên tụ không dao động là:
Như vậy thì R_gate > Rth tức là R_gate > 11.11ohm
==>Vậy nên chọn R_gate = 15ohm ( Nhưng mà lớn hơn bao nhiêu thì hợp lý ? )
Vì thời gian nạp của tụ:
T = R * C nếu R càng lớn thì T càng lớn ==>Điều này sẽ làm cho fet làm ở vùng tuyến tính ( nóng ) vậy nên R_gate = Rth là tốt nhất phải ko ?
Mặt khác, Igs ( dòng điện trung bình để nạp tích điện cho mosfet trong một chu kỳ )
>>>>>>>>>>>>>>>>> Igs = Qg x fs
- Trong datasheet IRF540 thấy ghi tổng giá trị Qg là 65nC
- Giả sử em PWM ở 50khz ( tần số chuyển mạch )
thì : Igs = 65nC x 50khz = 3.25mA
==>Như vậy Q1 chỉ cần mở dòng Ic >=3.25mA là Oki phải ko?
Trong khi việc thiết kế từ những linh kiện rời rạc rất khó khăn.
Tần số PWm ( fs ) mong muốn từ 20khz-50khz.
ACE nào có mạch thì cho em tham khảo với?
thanks all,
Tiện đây cho em hỏi:
Giả sử mạch kích FET kênh thấp như hình:
theo công thức tính:
Với:
- Ciss =890pF ( Theo datashet )
- Ls = 7.5 nH ( điện cảm mạch vòng )
- Ls ( tổng ) = Ls + Ls ( đượng mạch ) : Ls ( mạch ) = 10nH/cm
- Rdrv + Rg;i ==> Hai giá trị này em ko biết bằng bao nhiêu ? ( trong đó Rg;i là điện trở nội của cồng G, còn Rdrv là điện trở ngõ vào phải ko ? )
Như vậy: ( giả sử đường mạch có Ls ( đường mạch ) =20nH
R_gate_OPT = 11.11ohm - ( Rdrv + Rg;i )
Giả sử: ( Rdrv + Rg;i ) = ( 3ohm + 1ohm ) thì:
R_gate ( thêm vào ) = 11.11ohm-4ohm = 7.11ohm
Như vậy điện trở thêm vào R-gate của em là 7.11ohm phải ko?
Nhưng trong một mạch vòng RLC thì điều kiện để áp trên tụ không dao động là:
Như vậy thì R_gate > Rth tức là R_gate > 11.11ohm
==>Vậy nên chọn R_gate = 15ohm ( Nhưng mà lớn hơn bao nhiêu thì hợp lý ? )
Vì thời gian nạp của tụ:
T = R * C nếu R càng lớn thì T càng lớn ==>Điều này sẽ làm cho fet làm ở vùng tuyến tính ( nóng ) vậy nên R_gate = Rth là tốt nhất phải ko ?
Mặt khác, Igs ( dòng điện trung bình để nạp tích điện cho mosfet trong một chu kỳ )
>>>>>>>>>>>>>>>>> Igs = Qg x fs
- Trong datasheet IRF540 thấy ghi tổng giá trị Qg là 65nC
- Giả sử em PWM ở 50khz ( tần số chuyển mạch )
thì : Igs = 65nC x 50khz = 3.25mA
==>Như vậy Q1 chỉ cần mở dòng Ic >=3.25mA là Oki phải ko?
