Converter Lan Hương next version ...

[cô nhóc]

Giả sử khi xung đầu vào A=0V, B=12V. Con phía dưới bên trái dẫn mạnh, U giả sử =0,6V. Tụ 104 sẽ được nạp qua diode (giả sử sụt áp là 0,3V) hai đầu tụ sẽ là Uc= 0,3V.

Khi A=12V, B=0V, điện áp đầu trên của tụ sẽ ngay lập tức tăng lên 12 + 0.3 = 12.3V. Để tải dòng cỡ vài chục A cần UGK cỡ 5V. Vậy U K khi đó chỉ còn
UK = UCC + U C - UBE - UGK
UK = 12V + 0,3V - 0,6V - 5V
UK = 6,7V.

UAK = 12V - 6,7V = 5,3V

Với sụt áp lớn thế này thì nó sẽ rất nóng, và hiệu suất không còn lý tưởng = 90% nữa, mà chỉ còn 50%.

[lanhuong]

lanhuong ! em gửi cho anh bản đầy đủ của v2 và v3 mà em vẽ trên các chương trình thiết kế mạch in em nhé. Cảm ơn nhiều

Diagram schematic và PCB layout của 2 version mà anh nói, Lan Hương đã post lên mail dùng chung từ lâu rồi. Anh cứ vào mà load về thoải mái. Nhiều bạn đã làm thành công và đang còn trao đổi vài thứ cho đơn giản và hiệu quả hơn đấy thôi.

Giả sử khi xung đầu vào A=0V, B=12V. Con phía dưới bên trái dẫn mạnh, U giả sử =0,6V. Tụ 104 sẽ được nạp qua diode (giả sử sụt áp là 0,3V) hai đầu tụ sẽ là Uc= 0,3V.

Khi A=12V, B=0V, điện áp đầu trên của tụ sẽ ngay lập tức tăng lên 12 + 0.3 = 12.3V. Để tải dòng cỡ vài chục A cần UGK cỡ 5V. Vậy U K khi đó chỉ còn
UK = UCC + U C - UBE - UGK
UK = 12V + 0,3V - 0,6V - 5V
UK = 6,7V.

UAK = 12V - 6,7V = 5,3V

Với sụt áp lớn thế này thì nó sẽ rất nóng, và hiệu suất không còn lý tưởng = 90% nữa, mà chỉ còn 50%.

1/. Để tải ~ 40 Amps thì V(gate) của IRFz44V hay IRF2807 mà Lan Hương dùng trong mạch "converter Lan Hương" là 8V, đã ghi sẵn ở Zenner trong mạch. Đây là các con số có tiêu chí kỹ thuật rõ ràng, chỉ cần tra datasheet là có ngay, khỏi cần giả sử mò "cỡ 5V" làm gì hết.

2/. Highside driver :

- Khi V(S)/ highside đang cao (~ Vcc) và A về 0V thì 104 được nạp một năng lượng qua FR diod, tạo áp ngược ~ Vcc trên 104. Lúc B ~ Vcc thì điện áp ~ Vcc trên 104 vẫn được bào lưu.

(tại sao như thế thì ráng chịu suy nghĩ vài giây là biết ngay).

- Khi lại có xung A ~ Vcc thì điện áp A tích hợp với điện áp trên tụ 104, tạo thành V(gate)/ highside gần bằng hai lần Vcc và được "ghim" V(G/H) = 8V với zenner và 47 Ohm.

Do đó chúng thoả mãn mọi yêu cầu highside gate driver để "chạy" với hiệu suất > 90% trong trường hợp cụ thể này.

Đây là một ứng dụng rất sáng tạo mạch serial doublex cổ lỗ sĩ để nhân đôi biên độ xung, dù là cái mạch nhân đôi điện áp "xưa rích" đó ít ai mà không biết.

Đúng là cô Nhóc chỉ nghĩ tới cái cổng rào là ... hết, thôi thì cũng xem như ... hỉ xả vậy.

Lan Hương.

[Green_Age]

Diagram schematic và PCB layout của 2 version mà anh nói, Lan Hương đã post lên mail dùng chung từ lâu rồi. Anh cứ vào mà load về thoải mái. Nhiều bạn đã làm thành công và đang còn trao đổi vài thứ cho đơn giản và hiệu quả hơn đấy thôi.



1/. Để tải ~ 40 Amps thì V(gate) của IRFz44V hay IRF2807 mà Lan Hương dùng trong mạch "converter Lan Hương" là 8V, đã ghi sẵn ở Zenner trong mạch. Đây là các con số có tiêu chí kỹ thuật rõ ràng, chỉ cần tra datasheet là có ngay, khỏi cần giả sử mò "cỡ 5V" làm gì hết.

2/. Highside driver :

- Khi V(S)/ highside đang cao (~ Vcc) và A về 0V thì 104 được nạp một năng lượng qua FR diod, tạo áp ngược ~ Vcc trên 104. Lúc B ~ Vcc thì điện áp ~ Vcc trên 104 vẫn được bào lưu.

(tại sao như thế thì ráng chịu suy nghĩ vài giây là biết ngay).

- Khi lại có xung A ~ Vcc thì điện áp A tích hợp với điện áp trên tụ 104, tạo thành V(gate)/ highside gần bằng hai lần Vcc và được "ghim" V(G/H) = 8V với zenner và 47 Ohm.

Do đó chúng thoả mãn mọi yêu cầu highside gate driver để "chạy" với hiệu suất > 90% trong trường hợp cụ thể này.

Đây là một ứng dụng rất sáng tạo mạch serial doublex cổ lỗ sĩ để nhân đôi biên độ xung, dù là cái mạch nhân đôi điện áp "xưa rích" đó ít ai mà không biết.

Đúng là cô Nhóc chỉ nghĩ tới cái cổng rào là ... hết, thôi thì cũng xem như ... hỉ xả vậy.

Lan Hương.

madam Lanhuong ơi em đang xem Hãy chọn giá Đúng cũng có người mẫu Lan Hương chợt nhớ tới madam nên chạy đi mở máy...
Em có một số con IRF3205 dùng cho mạch này được không hả ?
Em lắp mạch TL494 để thắp đèn lúc cúp điện nhưng sao hai con IRF3205 nóng quá? Chịu dòng 100A sao thắp bóng 40w đã nóng rùi madam ơi, xin madam cho em cao kiến ạ!
Xin đa tạ madam!

[cô nhóc]

FRD chỉ có thể nạp cho tụ 47 ų F mà thôi.

Tụ 104 chỉ có thể nạp bằng 1 đường duy nhất, là từ cực K của Hi side Tr, qua diode không tên.

To chị Lan Hương:
Có lẽ rất khó mà khích bác cho Nhóc mất bình tĩnh đấy, chị ạ. (he he, đùa tí).

==================

Nói nhỏ tí nhe : trừ zenner ra thì mình dùng toàn Fast Recovery diod trong mạch nói trên. Không đắt hơn bao nhiêu mà bảo đảm tín hiệu tốt.

Cái này anh Nhật Hùng xúi đó.

Lan Hương.

[KnowMore]

Diagram schematic và PCB layout của 2 version mà anh nói, Lan Hương đã post lên mail dùng chung từ lâu rồi. Anh cứ vào mà load về thoải mái. Nhiều bạn đã làm thành công và đang còn trao đổi vài thứ cho đơn giản và hiệu quả hơn đấy thôi.



1/. Để tải ~ 40 Amps thì V(gate) của IRFz44V hay IRF2807 mà Lan Hương dùng trong mạch "converter Lan Hương" là 8V, đã ghi sẵn ở Zenner trong mạch. Đây là các con số có tiêu chí kỹ thuật rõ ràng, chỉ cần tra datasheet là có ngay, khỏi cần giả sử mò "cỡ 5V" làm gì hết.

2/. Highside driver :

- Khi V(S)/ highside đang cao (~ Vcc) và A về 0V thì 104 được nạp một năng lượng qua FR diod, tạo áp ngược ~ Vcc trên 104. Lúc B ~ Vcc thì điện áp ~ Vcc trên 104 vẫn được bào lưu.

(tại sao như thế thì ráng chịu suy nghĩ vài giây là biết ngay).

- Khi lại có xung A ~ Vcc thì điện áp A tích hợp với điện áp trên tụ 104, tạo thành V(gate)/ highside gần bằng hai lần Vcc và được "ghim" V(G/H) = 8V với zenner và 47 Ohm.

Do đó chúng thoả mãn mọi yêu cầu highside gate driver để "chạy" với hiệu suất > 90% trong trường hợp cụ thể này.

Đây là một ứng dụng rất sáng tạo mạch serial doublex cổ lỗ sĩ để nhân đôi biên độ xung, dù là cái mạch nhân đôi điện áp "xưa rích" đó ít ai mà không biết.

Đúng là cô Nhóc chỉ nghĩ tới cái cổng rào là ... hết, thôi thì cũng xem như ... hỉ xả vậy.

Lan Hương.

Cái mạch này đơn giản, cứ ráp thử rồi soi trên oscillator là được mà

[trongnha]

Diagram schematic và PCB layout của 2 version mà anh nói, Lan Hương đã post lên mail dùng chung từ lâu rồi. Anh cứ vào mà load về thoải mái. Nhiều bạn đã làm thành công và đang còn trao đổi vài thứ cho đơn giản và hiệu quả hơn đấy thôi.



1/. Để tải ~ 40 Amps thì V(gate) của IRFz44V hay IRF2807 mà Lan Hương dùng trong mạch "converter Lan Hương" là 8V, đã ghi sẵn ở Zenner trong mạch. Đây là các con số có tiêu chí kỹ thuật rõ ràng, chỉ cần tra datasheet là có ngay, khỏi cần giả sử mò "cỡ 5V" làm gì hết.

2/. Highside driver :

- Khi V(S)/ highside đang cao (~ Vcc) và A về 0V thì 104 được nạp một năng lượng qua FR diod, tạo áp ngược ~ Vcc trên 104. Lúc B ~ Vcc thì điện áp ~ Vcc trên 104 vẫn được bào lưu.

(tại sao như thế thì ráng chịu suy nghĩ vài giây là biết ngay).

- Khi lại có xung A ~ Vcc thì điện áp A tích hợp với điện áp trên tụ 104, tạo thành V(gate)/ highside gần bằng hai lần Vcc và được "ghim" V(G/H) = 8V với zenner và 47 Ohm.

Do đó chúng thoả mãn mọi yêu cầu highside gate driver để "chạy" với hiệu suất > 90% trong trường hợp cụ thể này.

Đây là một ứng dụng rất sáng tạo mạch serial doublex cổ lỗ sĩ để nhân đôi biên độ xung, dù là cái mạch nhân đôi điện áp "xưa rích" đó ít ai mà không biết.

Đúng là cô Nhóc chỉ nghĩ tới cái cổng rào là ... hết, thôi thì cũng xem như ... hỉ xả vậy.

Lan Hương.

Tôi cũng chưa hiểu ý Lan Hương. Lan Hương có thể chỉ rõ đường đi để nạp cho tụ 104 không? Còn nếu đi theo hướng RFD --> tụ 47uF (khá lớn) --> RFD --> tụ 104 --> B (hay A) thì theo tôi không phù hợp lắm.

[lanhuong]

đường đi để nạp cho tụ 104 ...

Tôi cũng chưa hiểu ý Lan Hương. Lan Hương có thể chỉ rõ đường đi để nạp cho tụ 104 không? Còn nếu đi theo hướng RFD --> tụ 47uF (khá lớn) --> RFD --> tụ 104 --> B (hay A) thì theo tôi không phù hợp lắm.

Đơn giản là các diod trong mạch đều là FRD 100 mA, giá 600 đ / con.

... trừ zenner ra thì mình dùng toàn Fast Recovery diod trong mạch nói trên. Không đắt hơn bao nhiêu mà bảo đảm tín hiệu tốt.

Thôi thì vẽ xoay hướng linh kiện lại cho dễ thấy, nó giống như mạch nhân áp thôi, nhưng có khác "chút chút" trong qui phạm PWM vì không cần diod dẫn thứ hai cho mạch nhân áp (xem hình).



- Khi xung Vp / A = 10V thì MOSFET dẫn --> Vout = Vcc = 12V.

- Trong khe thời gian DTC, Vp / A xuống 0V, FR nạp điện áp Vc = 12V cho tụ 104.

- Khi Vp / B = 10V thì Vout --> 0, điện áp trên 104 giữ nguyên.

- Khi Vp / A = 10V thì tổng điện áp trên gate driver là Vc + Vcc = 10 + 12 = 22V.

- Điện áp mà driver cung cấp cho gate được bào đảm không quá 8V nhờ vào sự phối hợp của zenner 8V với các điện trở của mạch gatedriver.

- FDR nạp cho 47 uF chỉ có tác dụng lưu điện áp cho mạch highside gatedriver hoạt động khi Vout = 12V, ngăn không cho dòng áp trên 47 uf "chảy" về Vcc. Nếu dùng tần số trên 40 Khz thì 47 uF chỉ còn cần dùng 10 uF.

- Dùng diod tách sóng thay cho các FRD trong mạch cũng được, nhưng FRD đáp ứng xung tồt hơn.

Thân ái.

Lan Hương.

[nguyendinhvan]

Trước tôi cũng làm cái mạch giống y hệt thế này rồi . Sau đó phải ném vào thùng rác . Đôi công suất bên trên nóng không chịu được . Bởi vì hồi đó lý luận của tôi cũng giống hệt như cô Lh bây giờ mà !

[lanhuong]

Trước tôi cũng làm cái mạch giống y hệt thế này rồi . Sau đó phải ném vào thùng rác . Đôi công suất bên trên nóng không chịu được . Bởi vì hồi đó lý luận của tôi cũng giống hệt như cô Lh bây giờ mà !

Vậy à ? thế mà mạch này của Lan Hương dùng và bán ra hàng ngàn sản phẩm, xuất sang tận Malaysia đấy. Một CTy bạn ở HN cũng đang dùng mạch này của Lan Hương đây thôi.

Ai chưa biết được rằng với tần số ~ 25KHz thì nội trở của 104 rất nhỏ so với 10K ohm thì cứ thêm diod phía sau FRD cho an tâm thì cũng được. Nhưng không cần thiết lắm.

Té ra mọi thứ của nguyendinhvan làm ra cũng chỉ để ném vào thùng rác tất. . Khổ thật, thiếu cả lý thuyềt lẫn thực nghiệm khoa học có hậu quả là như thế đấy.

Lan Hương.

[Driverless]

Vậy à ? thế mà mạch này của Lan Hương dùng và bán ra hàng ngàn sản phẩm, xuất sang tận Malaysia đấy. Một CTy bạn ở HN cũng đang dùng mạch này của Lan Hương đây thôi.

Ai chưa biết được rằng với tần số ~ 25KHz thì nội trở của 104 rất nhỏ so với 10K ohm thì cứ thêm diod phía sau FRD cho an tâm thì cũng được. Nhưng không cần thiết lắm.

Té ra mọi thứ của nguyendinhvan làm ra cũng chỉ để ném vào thùng rác tất. . Khổ thật, thiếu cả lý thuyềt lẫn thực nghiệm khoa học có hậu quả là như thế đấy.

Lan Hương.

Ấy dù sao về tuổi tác LH cũng nhỏ hơn A Van nói năng vậy có hơi quá không?
Nếu thực sự LH đã sx thương mại thì chắc thành công rồi, có điều mạch post lên có chuẩn 100% so với thực tế không thì chưa biết (mình chưa nghiên cứu, cũng chưa lắp thử), mình lòng dạ hẹp hòi nên miếng cơm manh áo hay bí mật, chẳng biết có ai thế không. Có thể mạch bác Van có sai khác đôi chút dẫn tới không thành công. Trong kỹ thuật sai một ly, đi một dặm mà. Dù sao cũng rất khâm phục LH, thật khó có bạn nữ nào có kỹ thuật vững như bạn. Phấn đấu phát triển và đừng mắc phải bệnh kiêu nhé.

====================

Cám ơn anh khuyến khích và nhắc nhở.

Em chỉ lặp lại nguyên văn lời của anh nguyendinhvan thôi. Ví dụ cái ampli lớp D thì "ngày xưa" anh ý ráp không chạy và cũng ... vất vào thùng rác, tương tự như vài cái khác mà Lan Hương làm thành công, trong đó có cái Highside gatedriver này.

Không thêm bớt lời nào khác như vậy thì có "nặng" chút nào không hở anh ?.

[dinhvu]

" Lanhuong wrote"
- Khi Vp / B = 10V thì Vout --> 0, điện áp trên 104 giữ nguyên.

"

Khi này cả high side MOSFET và lowside MOSFET cùng dẫn, gây ra hiện tượng trùng dẫn. Lan Hương có thể giải thích thêm chỗ này không?

[lanhuong]

" Lanhuong wrote"
- Khi Vp / B = 10V thì Vout --> 0, điện áp trên 104 giữ nguyên.

Khi này cả high side MOSFET và lowside MOSFET cùng dẫn, gây ra hiện tượng trùng dẫn. Lan Hương có thể giải thích thêm chỗ này không?

Điện áp trên HS driver mới làm MOSFET dẫn.

Chỉ có điện áp trên tụ 104 Vc (giữ nguyên) mà không có trên HS driver thì làm gì nó dẫn cơ chứ ? Xem trong hình : lúc Vp / B= 10V (màu đỏ, lớn) thì Vp / A = 0V (chấm xanh, nhỏ) kia mà.

Bạn không phân biệt được sự phân phôí xung trên hai bán cầu sao ? Không bao giờ HS và LS của một bán cầu cùng dẫn vì nó sử dụng hai nguồn xung kích dẫn khác nhau : VpA kích cho HS của bán cầu trái + LS của bán cầu phải, còn VpB kích cho HS bán cầu phải + LS của bán cầu trái. Giữa hai nguồn xung này lại được ngăn bằng khe thời gian DTC.

Nếu xét trên một bán cầu thì không bao giờ có trùng dẫn.

Bạn không chịu đọc kỹ bài sao mà hỏi thế ? Chịu khó vẽ lại cả cầu H-Wien rồi phân tích xung xem sao.

Lan Hương.

[dinhvu]

Không biết suy luận như thế này có đúng không nhỉ: Khi này điện áp đặt trên cực B của 2 transitor của HS driver bằng điện áp trên tụ 104 (khoảng 12V), điện áp cực S của HS MOSFET là 0 V, điện áp trên cực C của Transitor phía trên trong mạch HS driver khoảng 12V, điện áp cực D của HS MOSFET là 12V. Với điều kiện này thì MOSFET high side sẽ dẫn chứ.
Lan Hương giải thích thêm nhé.

[cô nhóc]

Giả sử 1:

Khi VpA =12V, Vout = 12V. (Con HS dẫn).
Khi Vpa xuống 0V, ngay lập tức con HS ngưng dẫn. Vì nếu Vs còn cao hơn Vout thì HS mới dẫn, mà đã cao hơn thì Diode không thể dẫn để nạp. Nếu thấp hơn để có thể nạp thì HS không dẫn.
Vout sẽ được thả nổi.

Và khi Vout được thả nổi thì sẽ không có nguồn nào cấp dòng cho tụ 104.

Giả sử 2: (lại giả sử, khổ thế):

Khi tụ 104 được nạp khoảng 8V để khi Vpa =12 thì nó sẽ cao hơn Vcc 8 volt, bảo đảm cho HS đủ dẫn. Lúc này Vout còn thả nổi.
Khi Vpb = 12V, Vout lập tức xuống 0V. Va=0V, Vtụ = 8V vậy V ở đầu trên tụ = 0V + 8V = 8V==> con HS cũng cùng dẫn chung với con LS.

[lanhuong]

Giả sử 1:

Khi VpA =12V, Vout = 12V. (Con HS dẫn).
Khi Vpa xuống 0V, ngay lập tức con HS ngưng dẫn. Vì nếu Vs còn cao hơn Vout thì HS mới dẫn, mà đã cao hơn thì Diode không thể dẫn để nạp. Nếu thấp hơn để có thể nạp thì HS không dẫn.
Vout sẽ được thả nổi.

Và khi Vout được thả nổi thì sẽ không có nguồn nào cấp dòng cho tụ 104.

Giả sử 2: (lại giả sử, khổ thế):

Khi tụ 104 được nạp khoảng 8V để khi Vpa =12 thì nó sẽ cao hơn Vcc 8 volt, bảo đảm cho HS đủ dẫn. Lúc này Vout còn thả nổi.
Khi Vpb = 12V, Vout lập tức xuống 0V. Va=0V, Vtụ = 8V vậy V ở đầu trên tụ = 0V + 8V = 8V==> con HS cũng cùng dẫn chung với con LS.

Tại sao phải giả sử làm gì mà than khổ trong khi tư liệu kỹ thuật đầy đủ cơ chứ ?

Xem tư liệu (datasheet) của IRF2807 dùng trong mạch này thì :

Ciss Input Capacitance ––– 3820 pF ––– VGS = 0V

---> với Vin = 0V --> C(GS) = 3820 pF, nên V(S) ~ Vcc tiếp tục bảo lưu trong thời hằng mà ai cũng tính nhẩm dễ dàng. Thời hằng này thừa đủ để tụ 104 nạp Vc = 12V.

Đã bảo : tại sao như thế thì ráng chịu suy nghĩ vài giây là biết ngay" rồi mà.

Không biết suy luận như thế này có đúng không nhỉ: Khi này điện áp đặt trên cực B của 2 transitor của HS driver bằng điện áp trên tụ 104 (khoảng 12V), điện áp cực S của HS MOSFET là 0 V, điện áp trên cực C của Transitor phía trên trong mạch HS driver khoảng 12V, điện áp cực D của HS MOSFET là 12V. Với điều kiện này thì MOSFET high side sẽ dẫn chứ.
Lan Hương giải thích thêm nhé.

Dẽ thôi anh, có lẽ anh chưa lấy tư liệu nên không biết rõ phần PWM của mạch này. Anh kết hợp xem datasheet của TL494 sẽ thấy :

1/. Khi output Q1 bên trong TL494 có xung, điện áp chân 8 của TL494 giảm ---> áp trên trên base của QA (PNP) giảm ---> QA dẫn mạnh --> tại A có áp xung ~ Vcc. Bộ driver làm việc tạo xung áp 8V trên HS gate.

2/. Khi output Q1 bên trong TL494 mất xung, điện áp trên base của QA tăng ---> tổng trở EC của QA tăng nhanh --> điện áp tại A là 0V. Tụ 104 nạp Vcc.

* Vout ~ Vcc trong thời hằng do Ciss và R(G) của MOSFET IRF2807, thời gian trễ này đã được tính toán đủ để nạp cho tụ điện 104. T = 0,707 x 3820 x 1500 = 4,05 micro giây (Ms)

** Đây cũng là lý do để nên dùng fast recovery diod thay vì tách sóng, vì nội trở của FRD với xung là rất bé (thường dười 0,2 ohm) nên T(nạp) = 0,707 RC = 0,707 x 0,2 x 100.000 = 0,014 micro giây, nhỏ hơn rất nhiều so với thời gian trễ.

3/. Tổng trở EC của QA tăng đến vô hạn, Vout thả nổi trong khoảng cuối của DTC.

4/. Tương tự, khi output Q2 bên trong TL494 có xung, điện áp chân 11 của TL494 giảm ---> vân vân ... ---> Vout ~ 0V.

* Do tổng trở EC của QA tiến tới vô hạn (rất lớn so với nội trờ của 104 và 10K) ---> áp tại A ~ - Vcc ---> áp trên 10K của hệ gatedriver = 0V ---> hệ Gatedriver không làm việc ---> MOSFET không dẫn.



5/ Khi xung B chấm dứt, Vout thà nổi khoảng cuối của DTC.

6/. Khi Q1 trong TL494 lại có xung ---> điện áp chân 8 của TL494 lại giảm ---> tổng trở EC của QA giảm đến 0 ---> tại A có xung VA ~ Vcc ---> tổng điện áp trên hệ HS gatedriver là V(G) ~ 2 Vcc.

Chú ý :

- Điện trở "không tên" ở collector QA là biểu diễn nội trở của QA tăng và giảm, không tồn tại trong mạch kỹ thuật.

- Nếu không phân tích trong cả chuỗi động thái của mạch mà "cắt khúc" một hình ra thì chắc chắn là không thể nào giải thích vẹn toàn được anh ạ.

Thân ái.

Lan Hương.