Thông báo

**thanh_nam** · 31-10-2009, 15:43

Tranistor:
Khi sử dụng Tranistor cần biết một số thông số kỹ thuật có ý nghĩa giới hạn sau (Absolute mãimum ratings):

-Collector-base voltage: Vcbo: Điện áp đánh thủng giữa C và B khi E hở hiểu nôm na là điện áp đặt vào 2 chân CB không được lớn hơn giá trị này
Tương tự là : Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
-Và công suất tiêu tán tối đa: Collector dissipation
-Có thể cho cả giá trị Max của dòng Collector và Base
-Một lưu ý quan trọng là tần số cắt (Current gain bandwidth product)
Ở tần số cắt Tranistor có độ khuếch đại bằng 1
-Độ khuếch đại dòng điện (DC current gain) không phải là một hằng số mà có giá trị thay đổi theo Ic bởi vậy trong Datasheet thường cho từ Hfemin đến Hfemax

Trong các đặv tuyến của Tranistor thì đặc tuyến truyền dẫn (Base Emitter on voltage)rất quan trọng nó phản ánh quan hệ giữa Vbe và Ic
(Thiết kế điểm hoạt động)
-Đặc tuyến ngõ ra (Static charesteristic):Quan hệ Ic và Vce
Khi Transistor đã phân cực, có dòng Ic thì khi tăng Vcc thì Ic sẽ tăng (Điều này nói lên hệ số khuếch đại không cố định là vậy) nhưng khi tăng đến mức nào đó thì sẽ không tăng nữa.Muốn tăng nữa phải tăng dòng Ib lên
Nhìn vào đặc tuyến này sẽ biết vùng nào là vùng ngưng dẫn, vùng khuếch đại và vùng dẫn bão hòa
-Ta có thể xem đặc tuyến khuếch đại Hfe theo Ic (Dc curent gain)

Cuối cùng là xác định chân:
+ Bước 1: Xác định chân B
Đo thuận nghịch 2 chân bất kì làm kim không lên, suy ra chân còn lại là chân B
+ Bước 2: Đã tìm được chân B,tiến hành xác định loại
Thử que (+) vào B, que (-) vào 2 chân còn lại,nếu lên là loại NPN, không lên là loại PNP
+ Bước 3: Tìm chân C
Chấm que (+) vào chân mà mình nghi ngờ là chân C,que (-) nối vào chân E (chân còn lại là chân B đã xác định ở trên), dùng ngón tay nối B và C lại,thấy kim lên thì đó chính là chân C, nghi ngờ đúng. nếu kim không lên thì nghi ngờ sai,thử lại.

**thanh_nam** · 31-10-2009, 16:32

Thyistor

Hình trên là sơ đồ đơn giản giải thích nguyên lý làm việc của Thyistor. Gồm 2 tranistor NPN(Q1) và PNP(Q2) ghép với nhau. Khi kích vào cực cổng (G) thực chất là phân cực cho Q1 .Lúc đó cực B của Q2 nối xuống mát và Q2 cũng được phân cực như vậy là Q1,Q2 cùng hoạt động.
Dòng chạy qua Thyistor chính là dòng IE2=IC2 =IB1 như vậy là sau khi được kích thì Thyistor tự dẫn luôn.
Như vậy kích dẫn cần đặt xung dương giữa G và K

Non repetitive peak reverse voltage : Điện áp ngược chịu tối đa không được lặp lại khi SCR đang hoạt động
Non repetitive peak off state voltage: Điện áp ngược chịu tối đa không được lặp lại khi SCR không hoạt động (Chính xác ???Nhờ pà con giúp) (Tham khảo định nghĩa từ http://grouper.ieee.org/groups/spd/html/terms_r.html
REPETITIVE PEAK OFF-STATE VOLTAGE
(VDRM)
Rated maximum (peak) continuous voltage that may be applied in the off-state conditions including all dc and repetitive alternating voltage components.
[C62.37–1996]
Tiếp đó là :
Repetitive peak reverse voltage: Điện áp ngược lặp lại ở trạng thái dẫn
Repetitive peak off state reverse voltage:Điện áp ngược lặp lại ở trạng thái ngưng dẫn
On state curent (I T(AV) )

òng hoạt động của SCR tức dòng chạy từ Anod đến Catod
Peak gate power díipitation: Công suất tiêu tán đĩnh ở cổng G
Average gate power díipitation:Công suất tiêu tán trung bình ở cổng G
Peak gate reserve voltage: Điện áp ngược đặt lên G và K
Holding current: Dòng duy trì
Critical rate of rise of off state voltage: Tốc độ biến thiên điện áp đặt lên SCR (dv/dt)
Tham khảo thêm:
Symbol Terminology Definition
ITM PEAK REPETITIVE ON−STATE CURRENT (SCR)
(also called PEAK DISCHARGE CURRENT)
Peak discharge current capability of a thyristor useful
when connected to discharge peak current usually from a
capacitor. This is a rarely specified parameter. (See
MCR68 and MCR69 data sheets, for examples where it is
specified.)
IT(RMS) ON−STATE RMS CURRENT The maximum value of on−state rms current that can be
applied to the device through the two main terminals of a
Triac (or cathode and anode if an SCR) on a continuous
basis.
ITSM PEAK NON−REPETITIVE SURGE CURRENT The maximum allowable non−repetitive surge current the
device will withstand at a specified pulse width, usually
specified at 60 Hz.
I2t CIRCUIT FUSING CONSIDERATIONS
(Current squared time)
The maximum forward non−repetitive overcurrent capability
that the device is able to handle without damage.
Usually specified for one−half cycle of 60 Hz operation.
PG(AV) FORWARD AVERAGE GATE POWER (SCR)
AVERAGE GATE POWER (Triac)
The maximum allowable value of gate power, averaged
over a full cycle, that may be dissipated between the gate
and cathode terminal (SCR), or main terminal 1 if a Triac.
PGM FORWARD PEAK GATE POWER (SCR)
PEAK GATE POWER (Triac)
The maximum instantaneous value of gate power
dissipation between gate and cathode terminal for an
SCR or between gate and a main terminal MT1 for a
Triac, for a short pulse duration.
RθCA THERMAL RESISTANCE,
CASE−TO−AMBIENT
The thermal resistance (steady−state) from the device
case to the ambient.
RθJA THERMAL RESISTANCE,
JUNCTION−TO−AMBIENT
The thermal resistance (steady−state) from the semiconductor
junction(s) to the ambient.
RθJC THERMAL RESISTANCE,
JUNCTION−TO−CASE
The thermal resistance (steady−state) from the semiconductor
junction(s) to a stated location on the case.
RθJM THERMAL RESISTANCE,
JUNCTION−TO−MOUNTING SURFACE
The thermal resistance (steady−state) from the semiconductor
junction(s) to a stated location on the mounting
surface.
TA AMBIENT TEMPERATURE The air temperature measured below a device in an
environment of substantially uniform temperature,
cooled only by natural air currents and not materially
affected by radiant and reflective surfaces.
TC CASE TEMPERATURE The temperature of the device case under specified
conditions.

tgt TURN−ON TIME (SCR)
(Also called Gate Controlled Turn−on Time)
The time interval between a specified point at the
beginning of the gate pulse and the instant when the
device voltage has dropped to a specified low value
during the switching of an SCR from the off state to the
on state by a gate pulse.
TJ OPERATING JUNCTION TEMPERATURE The junction temperature of the device at the die level as
a result of ambient and load conditions. In other words,
the junction temperature must be operated within this
range to prevent permanent damage.
tq TURN−OFF TIME (SCR) The time interval between the instant when the SCR
current has decreased to zero after external switching of
the SCR voltage circuit and the instant when the thyristor
is capable of supporting a specified wave form without
turning on.
Tstg STORAGE TEMPERATURE The minimum and maximum temperature at which the
device may be stored without harm with no electrical
connections.
VDRM PEAK REPETITIVE OFF−STATE FORWARD
VOLTAGE
The maximum allowed value of repetitive forward voltage
which may be applied and not switch the SCR or Triac on
or do damage to the thyristor.
VGD GATE NON−TRIGGER VOLTAGE At the maximum rated operational temperature, and at a
specified main terminal off−state voltage applied, this
parameter specifies the maximum DC voltage that can
be applied to the gate and still not switch the device from
off−state to and on−state.
VGM FORWARD PEAK GATE VOLTAGE (SCR)
PEAK GATE VOLTAGE (Triac)
The maximum peak value of voltage allowed between
the gate and cathode terminals with these terminals
forward biased for an SCR. For a Triac, a bias condition
between the gate and main terminal MT1.
VGT GATE TRIGGER VOLTAGE The gate dc voltage required to produce the gate trigger
current.
V(Iso) RMS ISOLATION VOLTAGE The dielectric withstanding voltage capability of a
thyristor between the active portion of the device and the
heat sink. Relative humidity is a specified condition.
VRGM PEAK REVERSE GATE BLOCKING
VOLTAGE (SCR)
The maximum allowable peak reverse voltage applied to
the gate on an SCR. Measured at a specified IGR which
is the reverse gate current.
VRRM PEAK REPETITIVE REVERSE OFF−STATE
VOLTAGE
The maximum allowed value of repetitive reverse voltage
which may be applied and not switch the SCR or Triac on
or do damage to the thyristor.
http://onsemi.com
8
THYRISTOR TERMINOLOGY (The following terms are used in SCR and TRIAC specifications.)
Symbol Terminology Definition
VTM PEAK FORWARD ON−STATE VOLTAGE (SCR)
PEAK ON−STATE VOLTAGE (Triac)
The maximum voltage drop across the main terminals at
stated conditions when the devices are in the on−state
(i.e., when the thyristor is in conduction). To prevent
heating of the junction, the VTM is measured at a short
pulse width and low duty cycle.
ZθJA(t) TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE,
JUNCTION−TO−AMBIENT
The transient thermal impedance from the semiconductor
junction(s) to the ambient.
ZθJC(t) TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE,
JUNCTION−TO−CASE
The transient thermal impedance from the semiconductor
junction(s) to a stated location on the case.
http://onsemi.com
9
Thyristor Surge Protector Devices (TSPD) and Sidac Terminology*
Symbol Terminology Definition
IBO BREAKOVER CURRENT The breakover current IBO is the corresponding parameter
defining the VBO condition, that is, where breakdown
is occurring.
ID1, ID2 OFF−STATE CURRENT (TSPD) The maximum value of current which will flow at specific
voltages (VD1 and VD2) when the TSPD is clearly in the
off−state. Frequently referred to as leakage current.
Ipps PULSE SURGE SHORT CIRCUIT CURRENT
NON−REPETITIVE (TSPD)
The maximum pulse surge capability of the TSPD
(non−repetitive) under double exponential decay waveform
conditions.
Ppk INSTANTANEOUS PEAK POWER
DISSIPATION (TSPD)
Defines the instantaneous peak power dissipation when
the TSPD (thyristor surge suppressor devices) are
subjected to specified surge current conditions.
Rs SWITCHING RESISTANCE (Sidac) The effective switching resistance usually under a
sinusoidal, 60 Hz condition.
VBO BREAKOVER VOLTAGE It is the peak voltage point where the device switches to
an on−state condition.
V(BR) BREAKDOWN VOLTAGE (TSPD) VBR is the voltage where breakdown occurs. Usually
given as a typical value for reference to the Design
Engineer.
VDM OFF−STATE VOLTAGE (TSPD) The maximum off−state voltage prior to the TSPD going
into a characteristic similar to an avalanche mode. When
a transient or line signal exceeds the VDM, the device
begins to avalanche, then immediately begins to
conduct.
VT ON−STATE VOLTAGE (TSPD) The maximum voltage drop across the terminals at
stated conditions when the TSPD devices are in the
on−state (i.e., conduction). To prevent overheating, VT is
measured at a short pulse width and a low duty cycle.

Hiện nay ở Nhật Tảo có bán 2P4M chịu dòng 2A
TYN612 chịu dòng 12 A
Cả 2 loại này nếu đặt trước mặt để xem, chân linh kiện quay xuống dưới, vỏ nhôm tản nhiệt nằm phía sau thì thứ tự chân nhìn từ trái qua phải là : Catod (K),Anod (A),Gate (G)
Ngoài ra ở chợ cũng bán loại Thyistor của Liên xô ký hiệu KY202 với thông số như sau (Trích từ bài của Namvn một thành viên của diễn đàn,cảm ơn A Nam)
KY202H là ký hiệu một kiểu thyristor của Liên Xô (chữ K, viết tắt từ tiếng Nga, có nghĩa là silic, chữ Y, viết tắt từ tiếng Nga, có nghĩa là điều khiển),
8805 là code thời gian chế tạo: 88 = năm 1988, 05 = tháng 05. (điều này khác với các hãng phương Tây, ví dụ nếu họ ghi 8805, thì 88 = năm 1988, 05 = tuần thứ 05 của năm).

Các thông số cơ bản của KY202H:
- Dòng điện thuận định mức lớn nhất: 10A
- Điện áp chịu đựng khi đóng: thuận = ngược = 400V
- Dòng điện duy trì: 300mA
- Dòng điện kích: 100mA.
Bố trí chân: vỏ (bulông) = A, chân dài = K, chân ngắn = G.

Ngoài ra, ở chợ loại bé nhất thấy là MCR-100-6 dòng hoạt động 0.8 A, bố trí chân hơi khác nhìn từ trái qua phải là Catod, Gate, Anod

Cách xác định chân: Với điều kiện linh kiện mới mua hoặc còn tốt
Để đồng hồ về thang x1
Đo lần lượt 2 chân trong 3 chân với nhau sẽ có 1 cặp chân lên (Cả thuận + ngược) ,vậy chân kia là anod
Lấy que đen (Tương đương +) kẹp vào chân anod, đầu kia que đỏ kẹp vào một trong 2 chân còn lại. Sau đó dùng cọng dây khẽ chính để nối liền chân Anod với chân còn lại, nếu kim đồng hồ lên mà không xuống, rõ ràng chân đang kẹp ở que đỏ là Catod,, còn chân kia là cực cổng. Còn nếu không lên thì cũng có thể suy luận luôn, chân đang kẹp ở que đỏ là G, và chân còn lại là Catod (Muốn chắc cú làm lại phép đo lần nữa). Đó cũng là cách kiểm tra Thyistor còn xấu hay tốt

**thanh_nam** · 01-11-2009, 09:32

Triac

Trên ảnh là sơ đồ chân con BTA12 bán phổ biến ở chợ
Còn hình dưới là sơ đồ chân con BTA4006

Ta sẽ làm thí nghiệm kích với con BTA4006 với giá trị linh kiện và mức điện áp chọn như hình dưới

Thí nghiệm 1: Mắc như hình trên
Đặt điện áp dương vào chân A1
Đặt điện áp âm vào chân A2
Theo lý thuyết thì có thể kích dương tức GA1>0 hay kích âm GA1<0
Với mạch như trên, theo tính toán lý thuyết cũng như đo thực tế khi Triac dẫn thì dòng đạt khoảng 48ma (Lý thuyết

18.3- 3.2(Dùng led xanh dương))/300 =~50 ma
Khi chỉnh biến trở về max, thì Triac tắt, sau đó tăng dần dòng kích tác dụng vào cực cổng, dòng qua led sẽ tăng dần tới giá trị max 48.5ma. Sau khi Triac đã dẫn, lại chỉnh biến trở cho dòng kích cực cổng giảm xuóng thì Tiac sẽ tắt.
Cả 2 trường hợp nối tắt A1=G không có ý nghĩa (Đèn o sáng)
Trong cách kích trên:
Khi GA1 dương gọi là kích dương
Khi GA1 âm gọi là kích âm
Cả 2 cách đều dẫn nhưng khi A1 dương, kích GA1 dương gọi là kích thuận

Mình chợt nảy ra môt ý thử kích GA2 xem ra làm sao, sau đây là kết quả thí nghiệm:
+ Nếu GA2 <0, thì ngay khi bật lên đã dẫn (Biến trở kích dòng cổng để max), dòng 12 ma. Chỉnh dẩn biến trở xuống không, dòng qua led đạt max. Một khi đã dẫn max việc chỉnh biến trở không có ý nghĩa
Nối tắt GA2 dòng đạt max ngay
+Nếu GA2>0 ,dòng luôn qua Led (Khoảng 6.78 ma) .Việc chỉnh biến trở không có ý nghĩa
Nối tắt GA2 dòng đạt max ngay

Sang đến thí nghiệm thứ 2, lặp lại như trên nhưng
Đặt điện áp dương vào chân A2
Đặt điện áp âm vào chân A1
Như vậy :
+ Nếu GA2 >0, thì ngay khi bật lên đã dẫn (Biến trở kích dòng cổng để max), dòng 12 ma. Chỉnh dẩn biến trở xuống không, dòng qua led đạt max. Một khi đã dẫn max việc chỉnh biến trở không có ý nghĩa.Nối tắt GA2 dòng đạt max ngay

+ Nếu GA2 <0, thì ngay khi bật lên đã dẫn dòng luôn qua Led (Khoảng 6.78 ma) .Việc chỉnh biến trở không có ý nghĩa
Nối tắt GA2 dòng đạt max ngay

+Nếu GA1<0 hay GA1>0 ban đầu tắt sau đó sẽ sáng lên từ từ nhờ chỉnh biến trở .Trường hợp GA1 chỉnh biến trở về mã đèn tắt, còn trường hợp GA1 >0 khi tải đã mã chỉnh biến trở không có ý nghĩa. Trong cả 2 trường hợp đấu tát G=A1 đèn o sáng

Kết luận:
-Theo lý thuyết khi T1 dương T2 âm thì để kích cho Triac dẫn T1G>0 hay T1G<0 đều được và khi T1G>0 gọi là kích thuận
-Cũng tương tự vậy khi T2 âm,T1 dương thì để kích cho Triac dẫn T1G>0 hay T1G<0 đều được và khi T1G<0 gọi là kích thuận

Như vậy qua thí nghiệm trên thấy rằng tuy Triac dẫ cả 2 chiều nhưng xác định chân MT1 và MT2 rất quan trong bởi vì đặt dòng kích vào GA1 thì mới có ý nghĩa điều khiển.
Còn sau đây là mạch làm đèn sáng hay mờ dần

Để ý, tụ dùng kích vào cực cổng đặt vào A1G (Nếu đặt điện áp GA2 để kích chẳng hạn, mới bật lên đã sáng và chỉnh biến trở không có ý nghĩa gì)

**thanh_nam** · 03-11-2009, 16:47

MOSFET và JFET

JFET : Viết tắt Junction Field Effect Transistor tạm dịch tranistor trường tiếp giáp
Và MOSFET : Viết tắt : Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor : Transistor trường cách ly
JFET hay Mosfet đều có 2 loại :Kênh N,P

Đối với JFET người ta dùng một thanh bán dẫn loại kênh N hay P,2 đầu nối ra 2 cực D (Drain cực máng) và S(Source Cực nguồn) . Đối với kênh N, cho khuếch tán 2 vùng chất bán dẫn loại P và nối với nhau, đem ra ngoài gọi là cực cổng G
Đối với kênh P thì ngược lại, dùng chất bán dẫn loại N khuếch tán thành 2 vùng trên kênh N và cũng nối với nhau mang ra ngoài, gọi là cực cổng G

Hai đặc tuyến quan trọng của JFET là đặc tuyến truyền dẫn, biểu diễn mối quan hệ giữa dòng điện cực máng ID và điện áp ngõ vào VGS khi điện áp VCC không thay đổi
Đặc tuyến ngõ ra, biểu thị sự quan hệ giữa ID theo điện áp VDS khi điện áp phân cực VGS được giữ cố định
Hình sau biểu thị đặc tuyến truyền dẫn ngõ ra và ngõ vào của JFET

Phân cực cho JFET

Hình trên là hình ảnh phân cực cho JFET
Khi Vgs = 0, Dòng điện đi qua kênh theo chiều từ cực dương của nguồn (D) sang cực âm (S)
và lúc đó kênh có tác dụng như một điện trở
Khi Vgs<0 giảm Vgs thì dòng ID giảm xuống và tới giá trị bằng không

Tại sao không phân cực VGS>0 là bởi vì sẽ dẫn đến dòng máng ID> dòng bão hòa làm hư JFET
Cách thử JFET:
-Đặt 2 que đo của ohm kế ở thang Rx100 lên chân DS, lúc này kim lên
-Dùng 1 vật nhiễm từ trường bằng cách dùng bút c5 xát lên vải hoặc dùng lược chải nhựa chải lên tóc, đưa vật nhiễm từ vào cổng G lúc này kim chỉ ohm kế sẽ thay đổi cho biết JFET tốt
Lưu ý :Đo thuận GD=GS =vài chục ohm
Đo nghịch GD=GS vô cùng
Đo DS giá trị từ vài trăm ohm đến kohm

MOSFET thường gặp hơn JFET và có 2 loại kênh liên tục hay kênh gián đoạn, trong mỗi loại lại có loại P, hay loại N

Khi cho mặt nhôm quay ra phía sau, đặt MOSFET ra trước mặt, chân quay xuống dưới, 3 chân theo thứ tự nhìn từ trái qua phải là G,D,S

Phân cực để hoạt động thì MOSFET kênh liên tục cũng giống như JFET
MOSFET kênh gián đoạn thì cách phân cực và hoạt động giống như Tranistor
Cách đo chân kiểm tra MOSFET:
Đo thuận hay đo nghịch GD,GS (x10k) đồng hồ o lên ,nếu lên thì bị rỉ hay nối tắt
Để xác dịnh loại N hay P ta đo thuận DS nếu kim không lên và đo nghịch kim lên là loại N
đo thuận DS nếu kim lên và đo nghịch không kim lên là loại P
Loại N : Que đen (Nguồn Dương) đặt vào D , que đỏ (Nguồn âm) đặt vào S. Lúc này kim không lên
Kích que đen vào G (Thực chất đặt điện áp dương vào GS để phân cực),sau đó đo DS lại tức phân cực thuận kim lên
Kích que đỏ vào G,sau đó đo DS lại kim trở về vị trí vô cực
Loại P: Ta làm ngựoc lại, đặt que đen vào S ,que đỏ vào D
Kích que đỏ vào G , (Thực chất đặt điện áp âm vào GS để phân cực) đo lại DS kim lên
Kích que đen vào G, đo lại DS kim xuống

Thông báo

Khảo sát thực tế các loại linh kiện

Khảo sát thực tế các loại linh kiện

Comment

Comment

Comment

Comment

Về tác giả

Bài viết mới nhất